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VUO62-12NO7

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VUO62-12NO7 Ixys
VUO62-12NO7 Ixys
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ID Code:154649
Hersteller:Ixys
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Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: VUO62-12NO7
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungVUO62-12NO7 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMIPONT-33s 
Ausführung:Screw terminal 
Art der Komponente:!_bridge 3f uncontrolled_! 
Konfiguration:Bridge 3f 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)63 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)63 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.82 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)300 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)1.52 [1000*A2s]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.24 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36.8 [g]
VPE (Verpackung):

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ID: 182657   Hersteller-Nr.: F05-AL2-42x72mm  
Menge [Stück]1+10+
EUR/Stück1,40361,2010
auf Anfrage
Hersteller: -  
RoHS
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