ID Code: | 154649 |
Hersteller: | Ixys |
Preis: | auf Anfrage |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | VUO62-12NO7 |
Einheit:: | Stück |
Mengenrabatt | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
Herstellerkennzeichnung | VUO62-12NO7 |
Gehäusetyp: | MODUL |
Gehäuse: | SEMIPONT-33s |
Ausführung: | Screw terminal |
Art der Komponente: | !_bridge 3f uncontrolled_! |
Konfiguration: | Bridge 3f |
Art des Materials: | !_si-silicon_! |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 36.8 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 3 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 63 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 63 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.82 [VDC] ? Testbedingungen: |
IR (Rückstrom) | 300 [µA] |
I2t (TC/TA=25°C) | 1.52 [1000*A2s] |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.24 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |
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I+SEMIPONT3- 42x 72=005W-AL Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMIPONT3 in size 42x72mm - 1f / 3f bridges ID: 182657 Hersteller-Nr.: F05-AL2-42x72mm
| auf Anfrage Hersteller: - |