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VS-EMF050J60U

IGBT 600V

Halbleiter - Transistoren - IGBT - Full Silicon
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VS-EMF050J60U Vishay
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VS-EMF050J60U_VI.pdf
Stück
ID Code:157057
Hersteller:Vishay
Preis inkl. MwSt. : 132,1380 €
Preis ohne MwSt. : 109,2049 €
MwSt.:21 %
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IGBT 600V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungVS-EMF050J60U 
Gehäusetyp:MODUL 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_3-level_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKAN 
RoHS1Ano 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten

Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)88 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.

Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)88 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)60 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.84 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)338 [W]
Input Logic Level (UGS level)15V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)150 [ns]
tr (Turn-on / rise time)46 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)92 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.01 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten

fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)480 [nC]
Cin (Input Capacitance)6600 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.37 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten

Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.09 [g]
VPE (Verpackung):10 

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