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VN5160S-E

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VN5160S-E ST Microelectronics
VN5160S-E ST Microelectronics
VN5160S-E ST Microelectronics
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ID Code:178393
Hersteller:ST Microelectronics
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: VN5160S-E
Einheit:: Stück


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungVN5160S-E 
Art der Komponente:FET Tranzistor 
KategorieFET Smart - High Side 
Konfiguration:High side 
Konstruktion:1*Smart FET 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Gehäusetyp:SMD 
Gehäuse [inch] :SO- 8 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.7 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):2000 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 36.0 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:4.90*3.90*1.70 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
RM - Anschlussraster1.27 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen [mm]
Anzahl der Stifte
L - Länge 4.9 [mm]
W - Breite 3.9 [mm]
H - Höhe 1.7 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse0,41x0,25 [mm]
Lv - Anschlusslänge1.1 [mm]

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