ID Code: | 132090 |
Hersteller: | Vishay |
Preis: | auf Anfrage |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | VF30200C |
Einheit:: | Stück |
Mengenrabatt | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
Herstellerkennzeichnung | VF30200C |
Gehäusetyp: | THT |
Gehäuse: | TO-220FP |
Kategorie | Diode Schottky THT |
Art der Komponente: | !_diode schottky silicon_! |
Konfiguration: | 2xDiode, com.cathode |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Art des Materials: | !_si-silicon_! |
Luftspalt (nach Artikelnummer) | 999.99 [mm] |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 1.39 [g] |
Verpackungstyp: | TUBE |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 50 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 30 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 30 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 1.1 [VDC] ? Testbedingungen: |
IR (Rückstrom) | 160 [µA] |
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 10000 [V/µs] |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 5.5 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
Anzahl der Stifte | 3 |
Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |