VF30200C
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| ID Code: | 132090 |
| Hersteller: | Vishay |
| Preis: | auf Anfrage |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | VF30200C |
| Einheit:: | Stück |
| Mengenrabatt | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
| Luftspalt (nach Artikelnummer) | 999.99 [mm] |
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | VF30200C |
| Gehäusetyp: | THT |
| Gehäuse: | TO-220FP |
| Kategorie | Diode Schottky THT |
| Art der Komponente: | !_diode schottky silicon_! |
| Konfiguration: | 2xDiode, com.cathode |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Grundausstattung:
| Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
Elektrische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 30 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 30 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.1 [VDC] ? Testbedingungen: |
| IR (Rückstrom) | 160 [µA] |
| du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 10000 [V/µs] |
Material, Farbe, Design:
| Art des Materials: | !_si-silicon_! |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 5.5 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
Abmessungen:
| Anzahl der Stifte | 3 |
| Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 1.39 [g] |
| VPE (Verpackung): | 50 |
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