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ULN2003ADR

NPN Darlington Bipolartransistor

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ULN2003ADR Texas Instruments
ULN2003ADR Texas Instruments
Stück
ID Code:144733
Hersteller:Texas Instruments
Preis inkl. MwSt. : 0,3120 €
Preis ohne MwSt. : 0,2579 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: ULN2003ADR
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NPN Darlington Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungULN2003ADR 
Gehäusetyp:SMD 
Gehäuse:SO-16N 
KategorieBipolar NPN Darlington 
Art der Komponente:!_npn-darlington_! 
Konfiguration:array 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 50 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)0.5 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)0.5 [A]
UF (maximum forward voltage)1.7 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)0.9 [V]
hFE current gain (max./typ.)>1000 

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)85 [°C]
Rth-a (Wärmewiderstand)73 [°C/W] ?

Rth-a - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-a = Rthja für das gesamte Gehäuse

Rth-a - Kühler Länge L=100mm

Rth-a - Kühler /pc

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.09 [g]
VPE (Verpackung):2500 

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