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STGW39NC60VD

Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Halbleiter - Transistoren - IGBT - Full Silicon
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STGW39NC60VD ST Microelectronics
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STGW39NC60VD_STM.pdf
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Stück
ID Code:185517
Hersteller:ST Microelectronics
Preis inkl. MwSt. : 2,4553 €
Preis ohne MwSt. : 2,0291 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:26 Stück
Herstellerkennzeichnung: STGW39NC60VD
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Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSTGW39NC60VD 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-247AC-3 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:single Transistor 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKAN 
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:5.1 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten

Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)80 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.

Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)80 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)40 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
Input Logic Level (UGS level)15V 
tr (Turn-on / rise time)14 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)128 [ns]
Qg (Total Gate Charge)126 [nC]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.5 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten

Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Anzahl der Stifte 3 
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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