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STGIPS30C60-H

IGBT 600V

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STGIPS30C60-H ST Microelectronics
Stück
ID Code:161379
Hersteller:ST Microelectronics
Preis inkl. MwSt. : 26,9154 €
Preis ohne MwSt. : 22,2441 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: STGIPS30C60-H
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IGBT 600V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSTGIPS30C60-H 
Gehäusetyp:THT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Sixpack 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.96 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):132 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)30 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)30 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)[VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.9 [V]
Input Logic Level (UGS level)15V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)100 [ns]
tr (Turn-on / rise time)440 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)780 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.005 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)2.4 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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