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SKM800GA126D

High Speed IGBT 1200V 910A

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SKM800GA126D Semikron
SKM800GA126D Semikron
Stück
ID Code:185786
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 305,5691 €
Preis ohne MwSt. : 252,5364 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:20 Stück
Herstellerkennzeichnung: SKM800GA126D
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High Speed IGBT 1200V 910A

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSKM800GA126D 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMITRANS-4 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_single 1*(t+d)_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
Material BaseCu 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:338.03 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):12 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)703 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)703 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)480 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.1 [V]
tr (Turn-on / rise time)100 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)135 [ns]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.042 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FZ600R12KE4 

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ID: 176035   Hersteller-Nr.: F05-AL2-62x106mm  
Menge [Stück]1+10+50+100+
EUR/Stück1,66021,58641,54951,3651
Gesamtbestand: 803
Hersteller: -  
RoHS
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