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SKM260MB170SCH17

MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode

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SKM260MB170SCH17 Semikron
SKM260MB170SCH17 Semikron
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ID Code:186080
Hersteller:Semikron
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Herstellerkennzeichnung: SKM260MB170SCH17
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MOSFET 1700V Full SiC MOS + SiC Diode

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSKM260MB170SCH17 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:2*FET-BD+2*D 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMITRANS-3 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:355 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):12 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)301 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)60 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)32 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1470 [nC]
Cin (Input Capacitance)27000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:108x62x31 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.045 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.065 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.056 [°C/W]
RM - Anschlussraster28 [mm]
L - Länge 106.4 [mm]
W - Breite 61.4 [mm]
H - Höhe 30.5 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:177329 - CAS300M17BM2 (WOL) 
Alternative 2:186152 - MSCMC170AM08CT6LIAG (MCH) 

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ID: 176035   Hersteller-Nr.: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3  
Menge [Stück]1+50+200+500+
EUR/Stück2,3692002,2586382,1401782,029615
Gesamtbestand: 9004
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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