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SKKH132/22E H4

SCR/diode doubler circuit, positive control, 2200V 128A/85°C

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SKKH132/22E H4 Semikron
SKKH132/22E H4 Semikron
Stück
ID Code:162145
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 192,3475 €
Preis ohne MwSt. : 158,9649 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SKKH132/22EH4
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SCR/diode doubler circuit, positive control, 2200V 128A/85°C DIODA+TYRISTOR-SERIE ,1000V/us I2t=72000A2s/125°C

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSKKH132/22EH4 
KategorieThyristor+D Standard Module 
Art der Komponente:!_thyristor pct_! 
Konfiguration:Thyristor+Diode, Serie 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_semipack-2t_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:98.5 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 2200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)128 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)128 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)90 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)1000 [V/µs]
di/dt (critical rate of rise of on-state current)200 [A/µs]
I2t (TC/TA=25°C)110 [1000*A2s]
tf/tq (Turn-off / fall time)150000 [ns]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.09 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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