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SKIIP03NAC126V1 M21

IGBT 1200V

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SKIIP03NAC126V1 M21 Semikron
SKIIP03NAC126V1 M21 Semikron
Stück
ID Code:185791
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 41,2931 €
Preis ohne MwSt. : 34,1265 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SKiiP03NAC126V1 M21
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Externlager (Lieferzeit 5÷10 Tage): 0 Stück
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IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSKiiP03NAC126V1 M21 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:MiniSKiiP-0 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:!_cbi module_! 
Art des Materials:!_si-silicon_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:0.09 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):50 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)16 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)16 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)15 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.1 [V]
tr (Turn-on / rise time)25 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)85 [ns]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)1.5 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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