IGBT 1200V
ID Code: | 182143 |
Hersteller: | Semikron |
Preis: | auf Anfrage |
MwSt.: | 21 % |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SK75GD12T4ETE2 |
Einheit:: | Stück |
Herstellerkennzeichnung | SK75GD12T4ETE2 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfiguration: | Bridge 3f -SE(single emiter) |
Konstruktion: | 6*(IGBT+D) |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 6 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMITOP-E2 |
Art des Materials: | Si-Silicon |
Material Base | Ceramic |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 34 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 84 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 68 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.49 [VDC] ? Testbedingungen: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 570 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 4400 [pF] |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.65 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.77 [°C/W] |
L - Länge | 57 [mm] |
W - Breite | 63 [mm] |
H - Höhe | 17 [mm] |