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SK75GD12T4ETE2

IGBT 1200V

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SK75GD12T4ETE2 Semikron
SK75GD12T4ETE2 Semikron
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ID Code:182143
Hersteller:Semikron
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SK75GD12T4ETE2
Einheit:: Stück
IGBT 1200V

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSK75GD12T4ETE2 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Bridge 3f -SE(single emiter) 
Konstruktion:6*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 6 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMITOP-E2 
Art des Materials:Si-Silicon 
Material BaseCeramic 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:34 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)84 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)68 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.49 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.85 [V]
Qg (Total Gate Charge)570 [nC]
Cin (Input Capacitance)4400 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.65 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.77 [°C/W]
L - Länge 57 [mm]
W - Breite 63 [mm]
H - Höhe 17 [mm]

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