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SK40MD120CR03ETE1

MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC, Sixpack Open Emitter

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SK40MD120CR03ETE1 Semikron
SK40MD120CR03ETE1 Semikron
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ID Code:186119
Hersteller:Semikron
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SK40MD120CR03ETE1
Einheit:: Stück
MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
Typical Applications
• Switched Mode Power Supplies
• Energy Storage Systems
• Electric Vehicle charging
• UPS
• Solar
• Motor Drives

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSK40MD120CR03ETE1 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguration:Bridge 3f 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:6*FET-BD 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMITOP-E1 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:24 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):15 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)41 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (UGS level)-4÷0/+15 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)32 [ns]
tr (Turn-on / rise time)10 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)[ns]
Qg (Total Gate Charge)118 [nC]
Cin (Input Capacitance)3400 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)[°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT1.02 [°C/W]

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