1200V Planar Gen2 SiC MOS, Integrated NTC temperature sensor
ID Code: | 186110 |
Hersteller: | Semikron |
Preis: | auf Anfrage |
MwSt.: | 21 % |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | SK25MH120SCTp |
Einheit:: | Stück |
Herstellerkennzeichnung | SK25MH120SCTp |
Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfiguration: | Bridge 1f |
Spezifikationen: | SiC N-Channel MOSFET |
Konstruktion: | 4*FET-BD |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SEMITOP-2p |
Art des Materials: | SiC Full |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 22.8 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 12 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 21 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 70 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 45 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 12 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 121 [nC] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 41x28x16 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 125 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.045 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
L - Länge | 41 [mm] |
W - Breite | 28 [mm] |
H - Höhe | 16 [mm] |
I+case 62x106_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm ID: 176035 Hersteller-Nr.: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Gesamtbestand: 9104 Hersteller: SEMIC EU |