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SK25MH120SCTp

1200V Planar Gen2 SiC MOS, Integrated NTC temperature sensor

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SK25MH120SCTp Semikron
SK25MH120SCTp Semikron
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ID Code:186110
Hersteller:Semikron
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SK25MH120SCTp
Einheit:: Stück
1200V Planar Gen2 SiC MOS, Integrated NTC temperature sensor
Typical Applications
• Switched Mode Power Supplies
• Energy Storage Systems
• Electric Vehicle charging

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSK25MH120SCTp 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguration:Bridge 1f 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:4*FET-BD 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMITOP-2p 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:22.8 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):12 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)21 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)70 [ns]
tr (Turn-on / rise time)45 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)12 [ns]
Qg (Total Gate Charge)121 [nC]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:41x28x16 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.045 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 41 [mm]
W - Breite 28 [mm]
H - Höhe 16 [mm]

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Menge [Stück]1+50+200+500+
EUR/Stück2,3710732,2604232,1418692,031219
Gesamtbestand: 9104
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
Alle Preise verstehen sich ohne Mwst. und enthalten keine Versandkosten. Die Versandkosten werden als separater Artikel in einer Bestellung hinzufügen.

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