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SK250MB120CR03TE2

MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC

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SK250MB120CR03TE2 Semikron
SK250MB120CR03TE2 Semikron
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ID Code:186127
Hersteller:Semikron
Preis: auf Anfrage
MwSt.:21 %
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SK250MB120CR03TE2
Einheit:: Stück
MOSFET Modul 1200V, H-Bridge Full SiC
Typical Applications
• Switched Mode Power Supplies
• Energy Storage Systems
• Electric Vehicle charging
• UPS
• Solar
• Motor Drives

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSK250MB120CR03TE2 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:2*FET-BD 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SEMITOP-E2 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:24 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):15 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)223 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Input Logic Level (UGS level)15V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)40 [ns]
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)29 [ns]
Qg (Total Gate Charge)708 [nC]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)125 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)[°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 57 [mm]
W - Breite 63 [mm]
H - Höhe 17 [mm]

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