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SEMiX603GB12E4p

Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.11KA

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SEMiX603GB12E4p Semikron
SEMiX603GB12E4p Semikron
Stück
ID Code:171772
Hersteller:Semikron
Preis inkl. MwSt. : 660,9706 €
Preis ohne MwSt. : 546,2567 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: SEMiX603GB12E4p
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96 + 158,7907 €192,1367 €
Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.11KA

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSEMiX603GB12E4p 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Konstruktion:2*(IGBT+D) 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMIX-3p 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:450 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1100 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)1100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)853 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.08 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
tr (Turn-on / rise time)85 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)145 [ns]
Qg (Total Gate Charge)3450 [nC]
Cin (Input Capacitance)37500 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.025 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

W - Breite 62 [mm]
L - Länge 150 [mm]
H - Höhe 21 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)150x62x21 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:FF600R12ME4 

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