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SDKF2x75-12B

1200V 2x75A Fast Recovery Epitaxial Diode ,

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SDKF2x75-12B Sirectifier
SDKF2x75-12B Sirectifier
Stück
ID Code:182006
Hersteller:Sirectifier
Preis inkl. MwSt. : 38,64 €
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Gesamtbestand:12 Stück
Herstellerkennzeichnung: SDKF2x75-12B
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1200V 2x75A Fast Recovery Epitaxial Diode ,

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungSDKF2x75-12B 
Art der Komponente:Diode Fast 
KategorieDiode Fast Module 
Konfiguration:com.cathode 2D 
Art des Materials:Si-Silicon 
Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_to-240aa_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:132 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

If (AV) per pkg.107 [A]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)107 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)107 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.17 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)500 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)7.2 [1000*A2s]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)280 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)250 [ns]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.45 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

W - Breite 20.8 [mm]
L - Länge 92 [mm]
H - Höhe 30 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)93x21x30 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:170452 - MEK75-12DA (IXY) 

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ID: 176032   Hersteller-Nr.: F05-AL2-20,3x92,5mm  
Menge [Stück]1+10+50+100+
EUR/Stück1,050,960,880,80
Gesamtbestand: 980
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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