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S1107SXU40

Flat Base Rectifier Diode 4000V/570A, Anoda on Base

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S1107SXU40 Dynex Semiconductor
S1107SXU40 Dynex Semiconductor
S1107SXU40 Dynex Semiconductor
Stück
ID Code:183624
Hersteller:Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 5 111,956063 €
Preis ohne MwSt. : 4 224,757076 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: S1107SXU40
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Flat Base Rectifier Diode 4000V/570A, Anoda on Base

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungS1107SXU40 
Art der Komponente:Diode Standard 
KategorieDiode Standard Disc 
Konfiguration:single (1D) 
Art des Materials:Si-Silicon 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:PUK 
Gehäuse:!_puk-flatbase_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:835 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 4000 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)570 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)570 [A]
UF (maximum forward voltage)1.55 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)50000 [µA]
I2t (TC/TA=25°C)720 [1000*A2s]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.065 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

D - Ø (Außendurchmesser)52 [mm]
W - Breite 60 [mm]
L - Länge 126 [mm]
H - Höhe 73 [mm]

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