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S1104SXU30

Flat Base Rectifier Diode 3000V/860A, Anoda on Base

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ID Code:	183626
Hersteller:	Dynex Semiconductor
Preis inkl. MwSt. :	4 368,3920 €
Preis ohne MwSt. :	3 610,2413 €
MwSt.:	21 %
Verfügbarkeit:	auf Anfrage
Gesamtbestand:	0 Stück
Herstellerkennzeichnung:	S1104SXU30
Zentrallager Zdice:	0 Stück
Externlager Karlsbad (Lieferzeit 5÷10 Tage):	0 Stück
Einheit::	Stück

Flat Base Rectifier Diode 3000V/860A, Anoda on Base

Luftspalt (nach Artikelnummer)

999.99 [mm]

Grundlegende Informationen:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	3000 [V] ? U_dc - Definitionen für Komponenten U_dc= U_RRM - Diode U_dc= U_DRM, U_RRM - Thyristor U_dc= U_CEO - Transistoren U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	860 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Die Angaben im Datenblatt. I_dc=I_{F (AV)} - Diode I_dc=I_{T (AV)} - Thyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Transistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=100÷109°C)	860 [A]
U_F (maximum forward voltage)	1.23 [V_DC] ? Testbedingungen: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (Rückstrom)	50000 [µA]
I²t (T_C/T_A=25°C)	1280 *[1000A²s]**

Art des Materials:

!_si-silicon_!

T_min (minimale Arbeitstemperatur)	-40 [°C]
T_max (maximale Arbeitstemperatur)	150 [°C]
R_th-c (Wärmewiderstand)	0.065 [°C/W] ? R_th-c - Definition für die verschiedene Komponenten R_th-c= R_thjc für das gesamte Gehäuse R_th-c- Folienoberfläche inch²

Abmessungen der Anschlüsse

0.00 [mm]

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