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QM 50HA-H

NPN Darlington Bipolartransistor

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QM 50HA-H Mitsubishi
QM 50HA-H Mitsubishi
Stück
ID Code:158518
Hersteller:Mitsubishi
Preis inkl. MwSt. : 94,5054 €
Preis ohne MwSt. : 78,1037 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: QM50HA-H
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NPN Darlington Bipolartransistor

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungQM50HA-H 
Gehäusetyp:MODUL 
KategorieBipolar NPN Darlington 
Art der Komponente:!_npn-darlington_! 
Konfiguration:!_single 1*(t+d)_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)50 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)[V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)310 [W]
hFE current gain (max./typ.)75÷ 

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_si-silicon_! 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.4 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:870 [g]
VPE (Verpackung):

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