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MURI2x100-04A

Fast Recovery Diode 400V/2x100A

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MURI2x100-04A Daco Semiconductor
MURI2x100-04A Daco Semiconductor
MURI2x100-04A Daco Semiconductor
Stück
ID Code:188270
Hersteller:Daco Semiconductor
Preis inkl. MwSt. : 40,66 €
Preis ohne MwSt. : 33,60 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MURI2x100-04A
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMURI2x100-04A 
Art der Komponente:Diode Fast 
KategorieDiode Fast Module 
Konfiguration:single (2D) 
Art des Materials:Si-Silicon 
Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):13 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 400 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

If (AV) per pkg.200 [A]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)100 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)100 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.3 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)25 [µA]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)90 [ns]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.4 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Menge [Stück]1+10+50+100+
EUR/Stück0,760,710,670,59
Gesamtbestand: 410
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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