- Home
- Halbleiter
- Transistoren
- SiC
- Full SiC
- MSCSM70AM07CT3AG
MSCSM70AM07CT3AG
Phase Leg Sic Mosfet Power Module 700V / 353A SP3F
Bildchen:
Zum Vergrößern anklicken
| ID Code: | 188012 |
| Hersteller: | Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 567,239337 € |
| Preis ohne MwSt. : | 468,792840 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | MSCSM70AM07CT3AG |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 468,792840 € | 567,239337 € | ||
| 5 + | 449,259805 € | 543,604364 € | ||
| 10 + | 429,726770 € | 519,969392 € | ||
| 25 + | 410,193735 € | 496,334420 € |
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | MSCSM70AM07CT3AG |
| Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
| Spezifikationen: | !_sic n-channel mosfet_! |
| Konstruktion: | 2*FET-BD+2*D |
| Art des Materials: | SiC Full |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| Gehäuse: | !_sp3f_! |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 125 [g] |
| Verpackungstyp: | TUBE |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 7 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 700 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 353 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 353 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 281 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testbedingungen: |
| IR (Rückstrom) | 600 [µA] |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 988 [W] |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 6.4 [mΩ] |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 38 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 35 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 20 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 645 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 13500 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.152 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.318 [°C/W] |
| RM - Anschlussraster | 3.81 [mm] |
| RM1 - Abstand der Reihen | 38 [mm] |
| W - Breite | 42.5 [mm] |
| L - Länge | 73.4 [mm] |
| H - Höhe | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | 73x43x12 [mm] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 1,35 [mm] |
| Lv - Anschlusslänge | 5.3 [mm] |