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MSCSM170TAM45CT3AG

Triple Phase Bridge Sic Mosfet Power Module 1700V, 64A, Module-SP3F

Stück
ID Code:189226
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 690,0344 €
Preis ohne MwSt. : 570,2764 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM170TAM45CT3AG
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM170TAM45CT3AG 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Bridge 3f 
Spezifikationen:!_sic n-channel mosfet_! 
Konstruktion:6*FET-BD+6*D 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_sp3f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:125 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)64 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)64 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)51 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)200 [µA]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)319 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)45 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)19 [ns]
Qg (Total Gate Charge)178 [nC]
Cin (Input Capacitance)3300 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.47 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.52 [°C/W]
RM - Anschlussraster3.81 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 38 [mm]
Anzahl der Stifte 32 
W - Breite 42.5 [mm]
L - Länge 73.4 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,35 [mm]
Lv - Anschlusslänge5.3 [mm]

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