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MSCSM170SKM23CT1AG

Full SiC MOSFET 1700V / 98A - Buck chopper

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MSCSM170SKM23CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM170SKM23CT1AG Microchip Technology - Microsemi
Stück
ID Code:186231
Hersteller:Microchip Technology - Microsemi
Preis inkl. MwSt. : 172,6796 €
Preis ohne MwSt. : 142,7104 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:32 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM170SKM23CT1AG
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• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Kelvin source for easy drive
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM170SKM23CT1AG 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_modul-sp1f_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Konfiguration:High side 
Art des Materials:!_sic_! 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:82.8 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)124 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)124 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)98 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)602 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)22.5 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)27 [ns]
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)19 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.06 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)356 [nC]
Cin (Input Capacitance)6600 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.25 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.276 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

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