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MSCSM170AM23CT1AG

Full SiC MOSFET 1700V / 98A - Phase leg + SiC Diodes

Stück
ID Code:186224
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 360,680893 €
Preis ohne MwSt. : 298,083383 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:4 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM170AM23CT1AG
Zentrallager Zdice: 4 Stück
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
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10 + 273,243233 €330,624312 €
25 + 260,823157 €315,596020 €
• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Kelvin source for easy drive
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM170AM23CT1AG 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:2*FET-BD+2*D 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SP1F 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:96 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)98 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)602 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)27 [ns]
tr (Turn-on / rise time)17 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)19 [ns]
Qg (Total Gate Charge)356 [nC]
Cin (Input Capacitance)6600 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:52x43x12 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.25 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.276 [°C/W]
RM - Anschlussraster3.8 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 38 [mm]
L - Länge 51.6 [mm]
W - Breite 42.5 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,4 [mm]
Lv - Anschlusslänge5.8 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:180130 - FF11MR12W1M1_B11 (INF) 
Alternative Produkte 1:FF11MR12W1M1_B11 

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