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MSCSM120TAM16CTPAG

Triple Phase Leg Sic Mosfet Power Module, 1200V, 171A, SP6P, 728W

Stück
ID Code:187998
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 1 111,876264 €
Preis ohne MwSt. : 918,906003 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM120TAM16CTPAG
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
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10 + 842,328989 €1 019,218077 €
25 + 804,041074 €972,889700 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120TAM16CTPAG 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Half Bridge 3*(Phase Leg) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:6*FET-BD+6*D 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SP6-P 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:275 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)136 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)400 [µA]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)728 [W]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)464 [nC]
Cin (Input Capacitance)6040 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:108x62x11 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.206 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.573 [°C/W]
RM - Anschlussraster2.54 [mm]
L - Länge 108 [mm]
W - Breite 62 [mm]
H - Höhe 11.5 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse0.8 [mm]
Lv - Anschlusslänge5.6 [mm]

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