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MSCSM120DUM31CTBL1NG
SiC Mosfet Power Module 1200V 79A 310W Case BL1
| ID Code: | 189852 |
| Hersteller: | Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 237,715101 € |
| Preis ohne MwSt. : | 196,458761 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | MSCSM120DUM31CTBL1NG |
| Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
| Vorlaufzeit ab Werk: | 42wk-49wk |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 196,458761 € | 237,715101 € | ||
| 5 + | 188,273287 € | 227,810677 € | ||
| 10 + | 180,087813 € | 217,906254 € | ||
| 25 + | 171,901929 € | 208,001334 € |
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | MSCSM120DUM31CTBL1NG |
| Vorlaufzeit ab Werk | 42wk-49wk [wk] |
| Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfiguration: | Bidir.Switch 1*(Dual Common Source) |
| Spezifikationen: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstruktion: | 2*FET-BD+2*D |
| Gehäusetyp: | Modul |
| Gehäuse [inch] : | BL1 |
| Art des Materials: | SiC Full |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 16.2 [g] |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 1 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 63 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testbedingungen: |
| IR (Rückstrom) | 10 [µA] |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 310 [W] |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 232 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 3020 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Maße (L*W*H) [mm]: | 40x26x9 |
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -55 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.483 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.854 [°C/W] |
| L - Länge | 40.3 [mm] |
| W - Breite | 25.6 [mm] |
| H - Höhe | 9.3 [mm] |
| Lv - Anschlusslänge | 5.8 [mm] |