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MSCSM120DAM11CT3AG
Boost Chopper Sic Mosfet Power Module 1200V / 254A SP3F
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| ID Code: | 188037 |
| Hersteller: | Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 362,965244 € |
| Preis ohne MwSt. : | 299,971276 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | MSCSM120DAM11CT3AG |
| Vorlaufzeit ab Werk: | 42wk-49wk |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 299,971276 € | 362,965244 € | ||
| 5 + | 287,472712 € | 347,841982 € | ||
| 10 + | 274,973738 € | 332,718223 € | ||
| 25 + | 262,475174 € | 317,594961 € |
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | MSCSM120DAM11CT3AG |
| Vorlaufzeit ab Werk | 42wk-49wk [wk] |
| Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfiguration: | Low side 1*(Boost Chopper) |
| Spezifikationen: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstruktion: | 1*FET-BD+1*D |
| Gehäusetyp: | Modul |
| Gehäuse [inch] : | SP3F |
| Art des Materials: | SiC Full |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 125 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 1 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 202 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testbedingungen: |
| IR (Rückstrom) | 1200 [µA] |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 1067 [W] |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 696 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 9060 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Maße (L*W*H) [mm]: | 73x43x12 |
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.141 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.175 [°C/W] |
| RM - Anschlussraster | 3.81 [mm] |
| RM1 - Abstand der Reihen | 38 [mm] |
| L - Länge | 73.4 [mm] |
| W - Breite | 42.5 [mm] |
| H - Höhe | 12 [mm] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 1,35 [mm] |
| Lv - Anschlusslänge | 5.3 [mm] |