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MSCSM120AM31CT1AG
Full SiC MOSFET 1200V / 71A
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| ID Code: | 186150 |
| Hersteller: | Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 174,768731 € |
| Preis ohne MwSt. : | 144,436968 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | Auf Lager |
| Gesamtbestand: | 7 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | MSCSM120AM31CT1AG |
| Zentrallager Zdice: | 7 Stück |
| Vorlaufzeit ab Werk: | 42wk-49wk |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 144,436968 € | 174,768731 € | ||
| 5 + | 138,420740 € | 167,489095 € | ||
| 10 + | 132,402137 € | 160,206586 € | ||
| 25 + | 126,383930 € | 152,924555 € |
• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | MSCSM120AM31CT1AG |
| Vorlaufzeit ab Werk | 42wk-49wk [wk] |
| Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
| Spezifikationen: | SiC N-Channel MOSFET |
| Konstruktion: | 2*FET-BD+2*D |
| Gehäusetyp: | Modul |
| Gehäuse [inch] : | SP1F |
| Art des Materials: | SiC Full |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 96 [g] |
| Verpackungstyp: | TUBE |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 1 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 71 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testbedingungen: |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 395 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 30 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 25 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 232 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 3020 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Maße (L*W*H) [mm]: | 52x43x12 |
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 150 [°C] |
| Rthjc1 IGBT | 0.38 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.9 [°C/W] |
| RM - Anschlussraster | 3.8 [mm] |
| RM1 - Abstand der Reihen | 38 [mm] |
| L - Länge | 51.6 [mm] |
| W - Breite | 42.5 [mm] |
| H - Höhe | 12 [mm] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 1,4 [mm] |
| Lv - Anschlusslänge | 5.8 [mm] |
Alternativen und Ersätze
| Alternative Produkte 1: | CAB011M12FM3 |
| Alternative Produkte 2: | CAB016M12FM3 |