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MSCSM120AM16CT1AG

Full SiC MOSFET 1200V / 138A

Stück
ID Code:186151
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 299,8037 €
Preis ohne MwSt. : 247,7716 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:4 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM120AM16CT1AG
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• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120AM16CT1AG 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Art der Komponente:!_sic mosfet+sic schottky diode_! 
Konfiguration:Half Bridge 
Konstruktion:!_2*fet+2*d_! 
Art des Materials:!_sic_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_modul-sp1f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:80 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)173 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)173 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)138 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax mit Kühler (TC=25°C)745 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)16 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)464 [nC]
Cin (Input Capacitance)6040 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.2 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.477 [°C/W]
W - Breite 41 [mm]
L - Länge 54 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:CAB011M12FM3 

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