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MSCSM120AM11CT3AG

Phase Leg Sic Mosfet Power Module 1200V / 254A SP3F

Stück
ID Code:188008
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 588,8864 €
Preis ohne MwSt. : 486,6830 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM120AM11CT3AG
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25 + 425,8464 €515,2742 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120AM11CT3AG 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spezifikationen:!_sic n-channel mosfet_! 
Konstruktion:2*FET-BD+2*D 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_sp3f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:125 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)254 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)254 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)202 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)600 [µA]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)1067 [W]
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)10.4 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)696 [nC]
Cin (Input Capacitance)9060 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.141 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.333 [°C/W]
RM - Anschlussraster3.81 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 38 [mm]
W - Breite 42.5 [mm]
L - Länge 73.4 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,35 [mm]
Lv - Anschlusslänge5.3 [mm]

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