MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode
ID Code: | 185959 |
Hersteller: | Microchip Technology |
Preis inkl. MwSt. : | 1 273,667852 € |
Preis ohne MwSt. : | 1 052,618060 € |
MwSt.: | 21 % |
Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
Gesamtbestand: | 0 Stück |
Herstellerkennzeichnung: | MSCSM120AM042CT6LIAG |
Vorlaufzeit ab Werk: | 42wk-49wk |
Einheit:: | Stück |
Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
1 + | 1 052,618060 € | 1 273,667853 € | ||
5 + | 1 008,760719 € | 1 220,600470 € | ||
10 + | 964,901403 € | 1 167,530698 € | ||
25 + | 921,042482 € | 1 114,461403 € |
Herstellerkennzeichnung | MSCSM120AM042CT6LIAG |
Vorlaufzeit ab Werk | 42wk-49wk [wk] |
Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Spezifikationen: | SiC N-Channel MOSFET |
Konstruktion: | 2*FET-BD+2*D |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SP6LI |
Art des Materials: | SiC Full |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
UL94 | V-0 |
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 350 [g] |
Verpackungstyp: | BOX |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 1 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 395 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testbedingungen: |
IR (Rückstrom) | 1200 [µA] |
Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 2031 [W] |
Input Logic Level (UGS level) | 20V |
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 67 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1392 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 18100 [pF] |
Maße (L*W*H) [mm]: | 108x62x22 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
Rthjc1 IGBT | 0.074 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.175 [°C/W] |
L - Länge | 108 [mm] |
W - Breite | 62 [mm] |
H - Höhe | 22 [mm] |
I+case 62x106_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm ID: 176035 Hersteller-Nr.: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3
| Gesamtbestand: 9104 Hersteller: SEMIC EU |
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SP6CA1 Adapter board for 1200V SP6LI SiC modules Microsemi controlled by Core Driver 2ACS-12A1HP ID: 185302 Hersteller-Nr.: SP6CA1
| auf Anfrage Hersteller: Microchip Technology |
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ASBK-014 PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver ID: 185353 Hersteller-Nr.: ASBK-014
| Gesamtbestand: 1 Hersteller: Microchip Technology |
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ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI Accelerated Development Kit Driver Core for SiC modules 1200V 2x3W ID: 185559 Hersteller-Nr.: ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI
| auf Anfrage Hersteller: Microchip Technology |
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ASBK-015 Device Hardware Kit - SP6LI ID: 185841 Hersteller-Nr.: ASBK-015
| auf Anfrage Hersteller: Microchip Technology |
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2ASC-12A2HP Dual-Channel Augmented Core 2 -1200V ID: 189282 Hersteller-Nr.: 2ASC-12A2HP
| auf Anfrage Hersteller: Microchip Technology |