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MSCSM120AM042CT6LIAG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

Stück
ID Code:185959
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 1 273,667852 €
Preis ohne MwSt. : 1 052,618060 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCSM120AM042CT6LIAG
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
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MOSFET 1200V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM120AM02CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120AM042CT6LIAG 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:2*FET-BD+2*D 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SP6LI 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:350 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)395 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)1200 [µA]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)2031 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1392 [nC]
Cin (Input Capacitance)18100 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:108x62x22 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.074 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
L - Länge 108 [mm]
W - Breite 62 [mm]
H - Höhe 22 [mm]

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