MSCSM120AM042CD3AG
MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode
| ID Code: | 185289 |
| Hersteller: | Microsemi / Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 1 107,6377 € |
| Preis ohne MwSt. : | 915,4031 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | MSCSM120AM042CD3AG |
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| Einheit:: | Stück |
| Mengenrabatt | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. |
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| 3 + | 823,8701 € | 996,8829 € |
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MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
. SiC Power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | MSCSM120AM042CD3AG |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| Gehäuse: | SEMITRANS-3 |
| Kategorie | Full SiC (MOS+D) |
| Art der Komponente: | !_n-mosfet_! |
| Konfiguration: | Half Bridge |
| Art des Materials: | !_sic full_! |
| Material Base | Cu |
| RoHS | Ja |
| REACH | Ja |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 350 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 6 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 495 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 495 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 395 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testbedingungen: |
| IR (Rückstrom) | 12 [µA] |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 2031 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 5.2 [mΩ] |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 67 [ns] |
| fmax max.frequency (max./typ.) | 0.06 [MHz] ? fmax - Definitionen für Komponenten fmax = fT (BJT-transition frequency) fmax = fmax (operation frequency) |
| Qg (Total Gate Charge) | 1392 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 18100 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.074 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.175 [°C/W] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |
Alternativen und Ersätze
| Alternative 1: | 176372 - CAS300M12BM2 (WO) |
| Alternative 2: | 174576 - SKM350MB120SCH17 (SMK) |
| Alternative Produkte 1: | MD400HFR120C2S |
| Alternative Produkte 2: | FF3MR12KM1 |
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