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MSCSM120AM03CT6LIAG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

Stück
ID Code:185252
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 1 805,3426 €
Preis ohne MwSt. : 1 492,0186 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
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MOSFET 1200V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM120AM03CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120AM03CT6LIAG 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Art der Komponente:SiC MOSFET-BD+SiC Schottky D 
Konfiguration:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Spezifikationen:!_sic n-channel mosfet_! 
Konstruktion:2*FET-BD+2*D 
Art des Materials:!_sic full_! 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_sp6li_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:350 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)805 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)805 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)640 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)1200 [µA]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)3215 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)3.1 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2320 [nC]
Cin (Input Capacitance)30200 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.047 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.126 [°C/W]
W - Breite 62 [mm]
L - Länge 108 [mm]
H - Höhe 22 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x22 [mm]

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