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MSCSM120AM036D3AG

MOSFET 1200V Full SiC

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MSCSM120AM036D3AG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120AM036D3AG Microsemi / Microchip Technology
Stück
ID Code:185422
Hersteller:Microsemi / Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 906,1273 €
Preis ohne MwSt. : 748,8655 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: MSCSM120AM036D3AG
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MOSFET 1200V Full SiC without SiC diodes Phase Leg SiC
The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. Temperature-independent switching behavior
. Kelvin Emitor for easy drive
. High level of integration
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
Benefits: High efficiency converter, Stable temperature behavior, Direct mounting to heatsink (isolated package), Low junction to case thermal resistance, RoHS Compliant
Application: Welding converters, Switched Mode Power Supplies, Uninterruptible Power Supplies, EV motor and traction drive

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120AM036D3AG 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:SEMITRANS-3 
KategorieFull SiC (MOS) 
Art der Komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguration:Half Bridge 
Art des Materials:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSJa 
REACHJa 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:350 [g]
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)460 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)460 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)2031 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)3.6 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)67 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.06 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)1392 [nC]
Cin (Input Capacitance)18100 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.074 [°C/W]
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:CAS300M12BM2 
Alternative 2:SKM500MB120SC 
Alternative Produkte 1:MD400HFR120C2S 
Alternative Produkte 2:FF3MR12KM1 
Alternative Produkte 3:FF2MR12KM1 

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ID: 176035   Hersteller-Nr.: F05-AL2-62x106mm  
Menge [Stück]1+10+
EUR/Stück1,66021,5864
Gesamtbestand: 914
Hersteller: -  
RoHS
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