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MSCSM120AM02CT6LIAG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

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MSCSM120AM02CT6LIAG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120AM02CT6LIAG Microsemi / Microchip Technology
Stück
ID Code:185251
Hersteller:Microsemi / Microchip Technology
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MwSt.:21 %
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MOSFET 1200V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM120AM02CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCSM120AM02CT6LIAG 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_modul-t6li_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Art der Komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguration:Half Bridge 
RoHSJa 
REACHJa 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Elektrische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)947 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)947 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)754 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)1200 [µA]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)3750 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)2.6 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)67 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.06 [MHz] ?

fmax - Definitionen für Komponenten


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)2784 [nC]
Cin (Input Capacitance)36240 [pF]

Material, Farbe, Design:

Art des Materials:!_sic full_! 
Material BaseCu 

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.075 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.04 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.109 [°C/W]

Abmessungen:

Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:320 [g]
VPE (Verpackung):

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Menge [Stück]1+10+
EUR/Stück1,65781,5841
Gesamtbestand: 922
Hersteller: -  
RoHS
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