MSCSM120AM027CD3AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SIC Diode

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SiC_Brochure_Ms.pdf

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ID Code:	185288
Hersteller:	Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. :	2 057,838778 €
Preis ohne MwSt. :	1 700,693205 €
MwSt.:	21 %
Verfügbarkeit:	auf Anfrage

Gesamtbestand:	0 Stück
Herstellerkennzeichnung:	MSCSM120AM027CD3AG
Einheit::	Stück

Übersicht über Mengenrabatte
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1 +		1 700,693205 €		2 057,838778 €
5 +		1 629,831096 €		1 972,095626 €
10 +		1 558,968987 €		1 886,352474 €
25 +		1 488,106447 €		1 800,608800 €

MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Grundlegende Informationen:

Herstellerkennzeichnung	MSCSM120AM027CD3AG
Art der Komponente:	SiC MOSFET Tranzistor
Kategorie	Full SiC (MOS-BD+D)
Konfiguration:	Half Bridge 1*(Phase Leg)
Spezifikationen:	!_sic n-channel mosfet_!
Konstruktion:	2FET-BD+2D
Art des Materials:	SiC Full
RoHS	Ja
REACH	Nein
Gehäusetyp:	MODUL
Gehäuse:	!_d3_!
NOVINKA	A
RoHS1	Ano
UL94	V-0

Verpackung und Gewicht:

Einheit:	Stück
Gewicht:	420 [g]
Verpackungstyp:	BOX
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):	6

Elektrophysikalische Parameter:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	1200 [V] ? U_dc - Definitionen für Komponenten U_dc= U_RRM - Diode U_dc= U_DRM, U_RRM - Thyristor U_dc= U_CEO - Transistoren U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	733 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Die Angaben im Datenblatt. I_dc=I_{F (AV)} - Diode I_dc=I_{T (AV)} - Thyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Transistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=25°C)	733 [A]
I_{dc max} (Tc/Ta=80÷89°C)	584 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	4000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	1.8 [V_DC] ? Testbedingungen: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (Rückstrom)	1800 [µA]
P_max mit Kühler (T_C=25°C)	2970 [W]
Input Logic Level (U_GS level)	20V
R_{DS (on)} 10V (U_GS=10÷15V)	3.5 [mΩ]
t_rr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)	90 [ns]
t_r (Turn-on / rise time)	55 [ns]
t_f/t_q (Turn-off / fall time)	67 [ns]
Q_g (Total Gate Charge)	2088 [nC]
C_in (Input Capacitance)	27000 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

T_min (minimale Arbeitstemperatur)	-40 [°C]
T_max (maximale Arbeitstemperatur)	175 [°C]
R_th-c (Wärmewiderstand)	0.075 [°C/W] ? R_th-c - Definition für die verschiedene Komponenten R_th-c= R_thjc für das gesamte Gehäuse R_th-c- Folienoberfläche inch²
Rthjc1 IGBT	0.07 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor	0.175 [°C/W]
W - Breite	62 [mm]
L - Länge	108 [mm]
H - Höhe	31 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)	108x62x31 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:	180902 - CAS120M12BM2 (WOL)
Alternative 2:	174576 - SKM350MB120SCH17 (SMK)
Alternative Produkte 1:	MD400HFR120C2S
Alternative Produkte 2:	FF2MR12KM1

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Menge [Stück]	1+	50+	200+	500+
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Menge [Stück]	1+	5+	10+	25+
EUR/Stück	138,149556	132,393540	126,637093	120,881077

Gesamtbestand: 1