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MSCMC170AM08CT6LIAG
Full SiC MOSFET 1700V + SiC Diode - Phase Leg
| ID Code: | 186152 |
| Hersteller: | Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 6 468,2629 € |
| Preis ohne MwSt. : | 5 345,6718 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | MSCMC170AM08CT6LIAG |
| Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
| Einheit:: | Stück |
| Mengenrabatt | Anzahl | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 5 345,6718 € | 6 468,2629 € | ||
| 5 + | 5 122,9284 € | 6 198,7433 € | ||
| 10 + | 4 900,1849 € | 5 929,2237 € | ||
| 25 + | 4 677,4414 € | 5 659,7042 € |
MOSFET 1200V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM120AM02CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance
Appl.: Motor control
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance
Appl.: Motor control
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | MSCMC170AM08CT6LIAG |
| Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
| Konfiguration: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
| Spezifikationen: | !_sic enhancement mode mosf_! |
| Konstruktion: | 2*FET-BD+2*D |
| Art des Materials: | SiC Full |
| Material Base | Cu |
| RoHS | Ja |
| REACH | Ja |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
| UL94 | V-0 |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 320 [g] |
| Verpackungstyp: | BOX |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 6 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 280 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 280 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 207 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.9 [VDC] ? Testbedingungen: |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 1780 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 11.7 [mΩ] |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 70 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 75 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 55 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 11228 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 22000 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.075 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.07 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.086 [°C/W] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 0.00 [mm] |
Alternativen und Ersätze
| Alternative 1: | 186277 - MSCSM170AM058CT6LIAG (MCH) |
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