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MSCDC50X1201AG

SiC Diode 3 Phase Bridge Power Module 1200V/ 50A SP1

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MSCDC50X1201AG Microchip Technology
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Stück
ID Code:188059
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 218,8135 €
Preis ohne MwSt. : 180,8376 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCDC50X1201AG
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25 + 158,2328 €191,4616 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCDC50X1201AG 
Art der Komponente:Bridge 3f Uncontrolled 
KategorieBridge Schottky SiC 
Konfiguration:Bridge 3f 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Art des Materials:SiC 
Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_sp1f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:96 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)50 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)50 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)35 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)30 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)200 [µA]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.56 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster3.8 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 38 [mm]
W - Breite 42.5 [mm]
L - Länge 51.6 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)52x43x12 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,4 [mm]
Lv - Anschlusslänge5.8 [mm]

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ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni  
Bestellt
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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