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MSCDC50X1201AG

SiC Diode 3 Phase Bridge Power Module 1200V/ 50A SP1

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MSCDC50X1201AG Microchip Technology
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MSCDC50X1201AG Microchip Technology
Stück
ID Code:188059
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 192,618207 €
Preis ohne MwSt. : 159,188601 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCDC50X1201AG
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
Einheit:: Stück
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10 + 145,923610 €176,567568 €
25 + 139,290718 €168,541769 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCDC50X1201AG 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:Bridge 3f Uncontrolled 
KategorieBridge Schottky SiC 
Konfiguration:Bridge 3f 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SP1F 
Art des Materials:SiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:96 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)50 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)50 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)35 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)30 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)200 [µA]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:52x43x12 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.56 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster3.8 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 38 [mm]
L - Länge 51.6 [mm]
W - Breite 42.5 [mm]
H - Höhe 12 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,4 [mm]
Lv - Anschlusslänge5.8 [mm]

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ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni  
Menge [Stück]1+40+80+200+
EUR/Stück0,7718190,7441120,6926580,641203
Gesamtbestand: 7491
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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