MSCDC50X1201AG
SiC Diode 3 Phase Bridge Power Module 1200V/ 50A SP1
| ID Code: | 188059 |
| Hersteller: | Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 200,5977 € |
| Preis ohne MwSt. : | 165,7832 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | MSCDC50X1201AG |
| Zentrallager Zdice: | 0 Stück |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 165,7832 € | 200,5977 € | ||
| 5 + | 158,8763 € | 192,2404 € | ||
| 10 + | 151,9687 € | 183,8821 € | ||
| 25 + | 145,0610 € | 175,5238 € |
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | MSCDC50X1201AG |
| Art der Komponente: | Bridge 3f Uncontrolled |
| Kategorie | Bridge Schottky SiC |
| Konfiguration: | Bridge 3f |
| Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 2 ks |
| Gehäusetyp: | Modul |
| Gehäuse [inch] : | SP1F |
| Art des Materials: | SiC |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 96 [g] |
| Verpackungstyp: | TUBE |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 1 |
Elektrophysikalische Parameter:
| IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 50 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 50 [A] |
| IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C) | 35 [A] |
| IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C) | 30 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ? Testbedingungen: |
| IR (Rückstrom) | 200 [µA] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Maße (L*W*H) [mm]: | 52x43x12 |
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -40 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.56 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
| RM - Anschlussraster | 3.8 [mm] |
| RM1 - Abstand der Reihen | 38 [mm] |
| L - Länge | 51.6 [mm] |
| W - Breite | 42.5 [mm] |
| H - Höhe | 12 [mm] |
| Abmessungen der Anschlüsse | 1,4 [mm] |
| Lv - Anschlusslänge | 5.8 [mm] |
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