SiC Schottky 1 Phase Bridge 1700V/ 50A
Zero reverse recovery, Zero forward recovery, Temperature Independent switching behavior, Positive temperature coefficient on VF, Low stray inductance, High junction temperature operation, Outstanding performance at high frequency operation, Low losses and Low EMI noises, Very rugged and easy mount, Direct mounting to heatsink (isolated package), Low junction to case thermal resistance, Easy paralleling due to positive TC of VF.
Appl. :Switch mode power supplies rectifier, Welding equipment, High speed rectifier, Induction heating,
Grundlegende Informationen:
Herstellerkennzeichnung | MSCDC50H1701AG |
Vorlaufzeit ab Werk | 42wk-49wk [wk] |
Art der Komponente: | Bridge 1f Uncontrolled Schottky |
Kategorie | Bridge Schottky SiC |
Konfiguration: | Bridge 1f |
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) | 4 ks |
Gehäusetyp: | Modul |
Gehäuse [inch] : | SP1F |
Art des Materials: | SiC |
RoHS | Ja |
REACH | Nein |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
Einheit: | Stück |
Gewicht: | 96 [g] |
Verpackungstyp: | TUBE |
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 1 |
Elektrophysikalische Parameter:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 50 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C) | 50 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] ?Testbedingungen: Ta=25°C, IF=In/Imax |
IR (Rückstrom) | 200 [µA] |
Thermische und mechanische Parameter:
Maße (L*W*H) [mm]: | 52x43x12 |
Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -55 [°C] |
Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.32 [°C/W] ?Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten
Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse
Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
RM - Anschlussraster | 3.8 [mm] |
RM1 - Abstand der Reihen | 38 [mm] |
L - Länge | 51.6 [mm] |
W - Breite | 42.5 [mm] |
H - Höhe | 12 [mm] |
Abmessungen der Anschlüsse | 1,4 [mm] |
Lv - Anschlusslänge | 5.8 [mm] |