MSCDC150KK70D1PAG

Dual Common Cathode SiC Diodes Power Module 700V/150A D1P

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MSCDC150KK70D1PAG_MIS.pdf

Power Management_MCH.pdf

ID Code:	188085
Hersteller:	Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. :	240,9535 €
Preis ohne MwSt. :	199,1351 €
MwSt.:	21 %
Verfügbarkeit:	auf Anfrage

Gesamtbestand:	0 Stück
Herstellerkennzeichnung:	MSCDC150KK70D1PAG
Zentrallager Zdice:	0 Stück
Einheit::	Stück

Mengenrabatt
Anzahl	Preis ohne MwSt.		Preis inkl. MwSt.
1 +		199,1351 €		240,9535 €
5 +		190,8375 €		230,9134 €
10 +		182,5399 €		220,8732 €
25 +		174,2427 €		210,8337 €

Grundlegende Informationen:

Herstellerkennzeichnung	MSCDC150KK70D1PAG
Art der Komponente:	Diode Schottky SiC
Kategorie	Diode Schottky Modul
Konfiguration:	com.cathode 2D
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse)	2 ks
Art des Materials:	SiC
Luftspalt (nach Artikelnummer)	999.99 [mm]
RoHS	Ja
REACH	Nein
Gehäusetyp:	MODUL
Gehäuse:	!_d1p_!
NOVINKA	A
RoHS1	Ano

Verpackung und Gewicht:

Einheit:	Stück
Gewicht:	192 [g]
Verpackungstyp:	BOX
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):	8

Elektrophysikalische Parameter:

U_dc (U_RRM, U_CEO, U_max)	700 [V] ? U_dc - Definitionen für Komponenten U_dc= U_RRM - Diode U_dc= U_DRM, U_RRM - Thyristor U_dc= U_CEO - Transistoren U_dc= U_max -
I_dc_max (Tc/Ta=25÷160°C)	150 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Die Angaben im Datenblatt. I_dc=I_{F (AV)} - Diode I_dc=I_{T (AV)} - Thyristor I_dc=I_{C max} - BJT, IGBT I_dc=I_{D max} - Transistor: FET
I_{dc max} (Tc/Ta=60÷69°C)	150 [A]
U_isol (@25°C/1min/50Hz)	4000 [V]
U_F (maximum forward voltage)	1.8 [V_DC] ? Testbedingungen: T_a=25°C, I_F=I_n/I_max
I_R (Rückstrom)	600 [µA]

Thermische und mechanische Parameter:

T_min (minimale Arbeitstemperatur)	-40 [°C]
T_max (maximale Arbeitstemperatur)	175 [°C]
R_th-c (Wärmewiderstand)	0.318 [°C/W] ? R_th-c - Definition für die verschiedene Komponenten R_th-c= R_thjc für das gesamte Gehäuse R_th-c- Folienoberfläche inch²
W - Breite	33.8 [mm]
L - Länge	94 [mm]
H - Höhe	17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)	94x34x17 [mm]

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