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MSCDC100KK70D1PAG

Dual Common Cathode SiC Diodes Power Module 700V/100A D1P

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MSCDC100KK70D1PAG Microchip Technology
MSCDC100KK70D1PAG Microchip Technology
MSCDC100KK70D1PAG Microchip Technology
Stück
ID Code:188084
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 189,6886 €
Preis ohne MwSt. : 156,7674 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCDC100KK70D1PAG
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25 + 137,1726 €165,9789 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCDC100KK70D1PAG 
Art der Komponente:Diode Schottky SiC 
KategorieDiode Schottky Modul 
Konfiguration:com.cathode 2D 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Art des Materials:SiC 
Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:MODUL 
Gehäuse:!_d1p_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:192 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)100 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)100 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)400 [µA]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.456 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

W - Breite 33.8 [mm]
L - Länge 94 [mm]
H - Höhe 17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)94x34x17 [mm]

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