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MSCDC100H120AG

SiC Diode Full Bridge Power Module 1200V/ 100A SP6C

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MSCDC100H120AG Microchip Technology
MSCDC100H120AG Microchip Technology
MSCDC100H120AG Microchip Technology
Stück
ID Code:188053
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 426,065363 €
Preis ohne MwSt. : 352,120134 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCDC100H120AG
Zentrallager Zdice: 0 Stück
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
Einheit:: Stück
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5 + 337,449516 €408,313914 €
10 + 322,778107 €390,561509 €
25 + 308,106303 €372,808627 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCDC100H120AG 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:Bridge 1f Uncontrolled Schottky 
KategorieBridge Schottky SiC 
Konfiguration:Bridge 1f 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SP6-3 
Art des Materials:SiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:330 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)100 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=120÷129°C)35 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)30 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)400 [µA]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:108x62x17 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.304 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

RM - Anschlussraster[mm]
L - Länge 108 [mm]
W - Breite 62 [mm]
H - Höhe 17 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse2,8 [mm]
Lv - Anschlusslänge[mm]

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ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni  
Menge [Stück]1+40+80+200+
EUR/Stück0,7705990,7429360,6915630,640190
Gesamtbestand: 7491
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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