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MSCDC100A70D1PAG

Phase Leg SiC Diodes Power Module 700V/100A D1P

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MSCDC100A70D1PAG Microchip Technology
MSCDC100A70D1PAG Microchip Technology
MSCDC100A70D1PAG Microchip Technology
Stück
ID Code:188061
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 171,242446 €
Preis ohne MwSt. : 141,522682 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSCDC100A70D1PAG
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
Einheit:: Stück
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1 + 141,522682 €171,242445 €
5 + 135,626430 €164,107980 €
10 + 129,729783 €156,973037 €
25 + 123,832742 €149,837618 €


Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSCDC100A70D1PAG 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:Diode Schottky SiC 
KategorieDiode Schottky Modul 
Konfiguration:serie 2D 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 2 ks
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :D1P 
Art des Materials:SiC 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:192 [g]
Verpackungstyp:BOX 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):

Elektrophysikalische Parameter:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)100 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)400 [µA]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:94x34x17 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-40 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.456 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

L - Länge 94 [mm]
W - Breite 33.8 [mm]
H - Höhe 17 [mm]

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