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MSC400SMA330B4

Power MOSFET N-CH SiC 3300V 11A 4-Pin(4+Tab) TO-247

Stück
ID Code:189240
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 44,405079 €
Preis ohne MwSt. : 36,698413 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSC400SMA330B4
Zentrallager Zdice: 0 Stück
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
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Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSC400SMA330B4 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguration:single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:1*FET-BD 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse [inch] :TO-247AD_4 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:7.2 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 3300 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)[A]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)131 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)[ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)20 [ns]
Qg (Total Gate Charge)37 [nC]
Cin (Input Capacitance)579 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:TO-247 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)150 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)1.8 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.96 [°C/W]
RM - Anschlussraster2.54 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)3.6 [mm]
L - Länge 21 [mm]
W - Breite 15.9 [mm]
H - Höhe [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,33 [mm]
Lv - Anschlusslänge19.81 [mm]

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