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MSC080SMA120J
1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET in an SOT-227 package, Id = 37A
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| ID Code: | 187567 |
| Hersteller: | Microchip Technology |
| Preis inkl. MwSt. : | 45,068674 € |
| Preis ohne MwSt. : | 37,246838 € |
| MwSt.: | 21 % |
| Verfügbarkeit: | auf Anfrage |
| Gesamtbestand: | 0 Stück |
| Herstellerkennzeichnung: | MSC080SMA120J |
| Einheit:: | Stück |
| Übersicht über Mengenrabatte | Anzahl (Stück) | Preis ohne MwSt. | Preis inkl. MwSt. | |
| 1 + | 37,246838 € | 45,068674 € | ||
| 5 + | 35,694886 € | 43,190812 € | ||
| 10 + | 31,475734 € | 38,085638 € | ||
| 25 + | 30,044920 € | 36,354354 € |
Grundlegende Informationen:
| Herstellerkennzeichnung | MSC080SMA120J |
| Art der Komponente: | SiC MOSFET Tranzistor |
| Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
| Konfiguration: | single 1*(T-BD) |
| Spezifikationen: | !_sic n-channel mosfet_! |
| Konstruktion: | 1*FET-BD |
| Art des Materials: | SiC Full |
| RoHS | Ja |
| REACH | Nein |
| Gehäusetyp: | MODUL |
| Gehäuse: | SOT-227 |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Verpackung und Gewicht:
| Einheit: | Stück |
| Gewicht: | 36 [g] |
| Verpackungstyp: | TUBE |
| Kleinpackung (Anzahl der Einheiten): | 10 |
Elektrophysikalische Parameter:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] ? Udc - Definitionen für Komponenten Udc = URRM - Diode Udc = UDRM, URRM - Thyristor Udc = UCEO - Transistoren Udc = Umax - |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 37 [A] ? Strömen bei der niedrigsten Temperatur. Idc=IF (AV) - Diode Idc=IT (AV) - Thyristor Idc=IC max - BJT, IGBT Idc=ID max - Transistor: FET
|
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 37 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 26 [A] |
| Pmax mit Kühler (TC=25°C) | 200 [W] |
| Input Logic Level (UGS level) | 20V |
| RDS (on) 10V (UGS=10÷15V) | 100 [mΩ] |
| trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C) | 34 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 4 [ns] |
| tf/tq (Turn-off / fall time) | 15 [ns] |
| Qg (Total Gate Charge) | 64 [nC] |
| Cin (Input Capacitance) | 838 [pF] |
Thermische und mechanische Parameter:
| Tmin (minimale Arbeitstemperatur) | -55 [°C] |
| Tmax (maximale Arbeitstemperatur) | 175 [°C] |
| Rth-c (Wärmewiderstand) | 0.27 [°C/W] ? Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse Rth-c - Folienoberfläche inch2 |
| Rthjc1 IGBT | 0.75 [°C/W] |
| RM - Anschlussraster | 15 [mm] |
| RM1 - Abstand der Reihen | 12.7 [mm] |
| Anzahl der Stifte | 3 |
| D - Ø (Außendurchmesser) | 4.1 [mm] |
| W - Breite | 25.3 [mm] |
| L - Länge | 38.1 [mm] |
| H - Höhe | 12 [mm] |
| Rozměry/Velikost (LxWxH) | SOT-227 [mm] |
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| Bestellt Hersteller: SEMIC EU |
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