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MSC040SMA120S

1200V Mosfet SiC, 64A / D3PAK

Stück
ID Code:186376
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 39,356845 €
Preis ohne MwSt. : 32,526319 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:30 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSC040SMA120S
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1200V Mosfet SiC, 64A / D3PAK

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSC040SMA120S 
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguration:single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:!_sic n-channel mosfet_! 
Konstruktion:1*FET-BD 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
Gehäusetyp:SMD 
Gehäuse:!_to-268aa_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:4.2 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)64 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)64 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)45 [A]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)303 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)50 [mΩ]
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)31 [ns]
tr (Turn-on / rise time)13 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)13 [ns]
Qg (Total Gate Charge)137 [nC]
Cin (Input Capacitance)1990 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.27 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.5 [°C/W]
RM - Anschlussraster5.45 [mm]
Anzahl der Stifte
W - Breite 16 [mm]
L - Länge 15 [mm]
H - Höhe [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)TO-268 [mm]
Abmessungen der Anschlüsse1,32 [mm]
Lv - Anschlusslänge3.81 [mm]

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