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MSC030SDA120B

SiC diode 1200V 29A/135°C

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MSC030SDA120B Microsemi / Microchip Technology
MSC030SDA120B Microsemi / Microchip Technology
Stück
ID Code:185683
Hersteller:Microsemi / Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 11,0264 €
Preis ohne MwSt. : 9,1127 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
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Herstellerkennzeichnung: MSC030SDA120B
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SiC Schottky Barrier Diodes 1200V 29A/135°C

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSC030SDA120B 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-247AC-2 
KategorieDiode Schottky THT 
Art der Komponente:!_diode schottky sic_! 
Konfiguration:1xDiode 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:!_sic full_! 
Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:6.2 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)65 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.


Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)65 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)29 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=140÷149°C)24 [A]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)999999 [V/µs]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)259 [W]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.58 [°C/W]
Anzahl der Stifte
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative Produkte 1:C4D20120H 

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