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MSC017SMA120J

1200V Mosfet SiC 1200V Mosfet SiC 88A / SOT-227

Stück
ID Code:186320
Hersteller:Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 91,167653 €
Preis ohne MwSt. : 75,345168 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:Auf Lager
Gesamtbestand:20 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSC017SMA120J
Zentrallager Zdice: 20 Stück
Vorlaufzeit ab Werk: 42wk-49wk
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1200V Mosfet SiC, 88A / SOT-227

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSC017SMA120J 
Vorlaufzeit ab Werk42wk-49wk [wk]
Art der Komponente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfiguration:single 1*(T-BD) 
Spezifikationen:SiC N-Channel MOSFET 
Konstruktion:1*FET-BD 
Gehäusetyp:Modul 
Gehäuse [inch] :SOT-227 
Art des Materials:SiC Full 
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:36 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):10 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten


Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)62 [A]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)278 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr Wiederherstellungszeit (If=Inom.,@25°C)40 [ns]
Qg (Total Gate Charge)249 [nC]
Cin (Input Capacitance)5280 [pF]

Thermische und mechanische Parameter:

Maße (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rth-c (Wärmewiderstand)0.27 [°C/W] ?

Rth-c - Definition für die verschiedene Komponenten


Rth-c = Rthjc für das gesamte Gehäuse

Rth-c - Folienoberfläche inch2

Rthjc1 IGBT0.36 [°C/W]
RM - Anschlussraster15 [mm]
RM1 - Abstand der Reihen 12.7 [mm]
D - Ø (Außendurchmesser)4.1 [mm]
L - Länge 38.1 [mm]
W - Breite 25.3 [mm]
H - Höhe 12 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:183085 - DACMI160N1200 (DAC) 

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ID: 181709   Hersteller-Nr.: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni  
Menge [Stück]1+40+80+200+
EUR/Stück0,7692310,7416170,6903350,639053
Gesamtbestand: 7507
Hersteller: SEMIC EU  
RoHS
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