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MSC010SDA170B

SiC diode 1700V 14A/135°C

Halbleiter - Dioden - Schottky - SiC
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MSC010SDA170B Microsemi / Microchip Technology
MSC010SDA170B Microsemi / Microchip Technology
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SiC_Brochure_Ms.pdf
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Stück
ID Code:185669
Hersteller:Microsemi / Microchip Technology
Preis inkl. MwSt. : 7,9908 €
Preis ohne MwSt. : 6,6039 €
MwSt.:21 %
Verfügbarkeit:auf Anfrage
Gesamtbestand:0 Stück
Herstellerkennzeichnung: MSC010SDA170B
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SiC Schottky Barrier Diodes 1700V 14A/135°C

Grundlegende Informationen:

HerstellerkennzeichnungMSC010SDA170B 
Gehäusetyp:THT 
Gehäuse:TO-247AC-2 
KategorieDiode Schottky THT 
Art der Komponente:!_diode schottky sic_! 
Konfiguration:1xDiode 
Anzahl der Schaltungen (im Gehäuse) 1 ks
Art des Materials:!_sic full_! 
Luftspalt (nach Artikelnummer) 999.99 [mm]
RoHSJa 
REACHNein 
NOVINKAN 
RoHS1Ano 

Verpackung und Gewicht:

Einheit:Stück 
Gewicht:6.2 [g]
Verpackungstyp:TUBE 
Kleinpackung (Anzahl der Einheiten):30 

Elektrophysikalische Parameter:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1700 [V] ?

Udc - Definitionen für Komponenten

Udc = URRM - Diode

Udc = UDRM, URRM - Thyristor

Udc = UCEO - Transistoren

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)31 [A] ?

Strömen bei der niedrigsten Temperatur.
Die Angaben im Datenblatt.

Idc=IF (AV) - Diode

Idc=IT (AV) - Thyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Transistor: FET

 

 

Idc max (Tc/Ta=25°C)31 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=130÷139°C)14 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=140÷149°C)12 [A]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC] ?

Testbedingungen:
Ta=25°C, IF=In/Imax

IR (Rückstrom)60 [µA]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)999999 [V/µs]
Pmax mit Kühler (TC=25°C)163 [W]

Thermische und mechanische Parameter:

Tmin (minimale Arbeitstemperatur)-55 [°C]
Tmax (maximale Arbeitstemperatur)175 [°C]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.92 [°C/W]
Anzahl der Stifte 2 
Abmessungen der Anschlüsse0.00 [mm]

Alternativen und Ersätze

Alternative 1:160683 - C3D10170H (CRE) 

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